Samsung entwickelt 400-Schicht-NAND-Chip für SSDs mit hoher Kapazität

Mit seinem Plan, 400-lagige gestapelte NAND-Speicherchips herzustellen, die 2026 auf den Markt kommen sollen, behauptet Samsung weiterhin seine Führungsposition im Technologiewettbewerb. Dieser bahnbrechende Fortschritt wird den Weg für SSDs mit ultrahoher Kapazität ebnen und den massiven Datenspeicherbedarf der künstlichen Intelligenz (KI) erfüllen.

Derzeit setzt Samsung große Erwartungen in seinen V10-NAND-Chip der 10. Generation, der mit der fortschrittlichen BV-NAND-Technologie entwickelt wurde. Diese Technologie ermöglicht die Produktion von Speicherzellen und peripheren Schaltkreisen auf separaten Wafern, die dann zu einem kompletten Chip zusammengefügt werden. Dieser Ansatz minimiert die Wärmeabgabe und optimiert die Leistung. Die Bitdichte pro Flächeneinheit des V10-NAND-Chips ist 1,6-mal höher als bei der vorherigen Generation und ermöglicht die Produktion von SSDs mit extrem hoher Kapazität, die möglicherweise die 200-TB-Schwelle überschreiten. Dies wird eine ideale Lösung für KI-Anwendungen sein, die massive Datenverarbeitungsfähigkeiten erfordern.

Über den 400-Layer-NAND-Chip hinaus hat Samsung einen ehrgeizigen Entwicklungsplan aufgestellt, der bis 2027 die Veröffentlichung des V11-NAND-Chips mit 50 % schnelleren Datenübertragungsgeschwindigkeiten und bis 2030 sogar die Entwicklung von NAND-Chips mit über 1.000 Schichten vorsieht, um seine Marktführerschaft zu stärken.

Neben NAND konzentriert sich Samsung auch auf die Entwicklung neuer DRAM-Linien, die kompakte Größen unter 10 nm und eine überragende Leistung anstreben. Mit diesen unermüdlichen Anstrengungen trägt der südkoreanische Tech-Gigant dazu bei, die Zukunft der Speichertechnologie zu gestalten und die Menschheit mit einem grenzenlosen" Datenverarbeitungspotenzial in das Zeitalter der KI zu führen.

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